The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jin Xiaojun, Liang Junwu |
| 刊名 | j.materials science :materials in electronics
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 8页码:405-408 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2014-05-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24960]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin Xiaojun, Liang Junwu. The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition[J]. j.materials science :materials in electronics,1997,8:405-408. |
| APA | Jin Xiaojun, Liang Junwu.(1997).The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition.j.materials science :materials in electronics,8,405-408. |
| MLA | Jin Xiaojun, Liang Junwu."The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition".j.materials science :materials in electronics 8(1997):405-408. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。