Physical properties and growth of SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liang Junwu,Zhu Jianjun |
| 刊名 | chinese journal of electronics
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 7期号:1页码:28-33 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2014-05-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24962]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang Junwu,Zhu Jianjun. Physical properties and growth of SiC[J]. chinese journal of electronics,1998,7(1):28-33. |
| APA | Liang Junwu,Zhu Jianjun.(1998).Physical properties and growth of SiC.chinese journal of electronics,7(1),28-33. |
| MLA | Liang Junwu,Zhu Jianjun."Physical properties and growth of SiC".chinese journal of electronics 7.1(1998):28-33. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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