Persistent photoconductivity in neutron irradiated GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Minglan ; Yang, Ruixia ; Liu, Naixin ; Wang, Xiaoliang |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 34期号:9页码:093005 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-05-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24990]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Minglan,Yang, Ruixia,Liu, Naixin,et al. Persistent photoconductivity in neutron irradiated GaN[J]. journal of semiconductors,2013,34(9):093005. |
| APA | Zhang, Minglan,Yang, Ruixia,Liu, Naixin,&Wang, Xiaoliang.(2013).Persistent photoconductivity in neutron irradiated GaN.journal of semiconductors,34(9),093005. |
| MLA | Zhang, Minglan,et al."Persistent photoconductivity in neutron irradiated GaN".journal of semiconductors 34.9(2013):093005. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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