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脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄建国 ; 韩建伟 |
| 刊名 | 中国科学G辑
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 34期号:6页码:601-609 |
| 关键词 | 单粒子效应 脉冲激光 等效LET 器件 |
| ISSN号 | 1672-1780 |
| 通讯作者 | 北京8701信箱 |
| 中文摘要 | 在脉冲激光模拟单粒子效应实验中,一个关键问题是计算激光脉冲的等效LET.给出了在考虑非线性能量吸收机制、半导体器件表面反射和折射等关键因素下激光脉冲的等效LET计算方法和具体算例,与离子探测的器件单粒子翻转阈值吻合得较好. |
| 学科主题 | 空间环境 |
| 资助信息 | 中国科学院"十五"预研基金 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/73]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄建国,韩建伟. 脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算[J]. 中国科学G辑,2004,34(6):601-609. |
| APA | 黄建国,&韩建伟.(2004).脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算.中国科学G辑,34(6),601-609. |
| MLA | 黄建国,et al."脉冲激光模拟单粒子效应的等效LET计算".中国科学G辑 34.6(2004):601-609. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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