单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈睿 ; 纪冬梅 ; 封国强 ; 沈忱 ; 韩建伟 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 33期号:3页码:289-295 |
| 关键词 | 单粒子效应 数值仿真 TCAD 器件模型 几何效应 阱接触 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 其他题名 | The Single Event Effects TCAD Numerical Simulation of 3D Modeling Method |
| 通讯作者 | 北京8701信箱 |
| 中文摘要 | 文中探讨了单粒子效应数值仿真建模的问题。首先,基于对单阱N+-P结构的二极管在重离子辐照下的TCAD仿真,研究电流脉冲和电荷收集特性对器件模型几何尺寸与比例的依赖关系,进一步给出了精确仿真单粒子效应所需的模型尺寸的实用标准。其次,讨论阱接触电极的位置对电流脉冲和电荷收集的影响,指出对阱接触的正确建模的必要性。 |
| 英文摘要 | It is the first in the series of papers on simulating the SEE(Single Event Effects) in semiconductor devices with controllable accuracy using TCAD simulation tools.In the paper,two topics regarding the construction of 3D models for simulation are discussed.Firstly,through simulating the transient current waveform of a N+/P junction diode with well structure,the dependence of the current and collected charge upon the geometric dimensions of the simulated device model is investigated,based on which a practical guideline is proposed for determining the appropriate size of the model for accurate simulation of SEE.Secondly,the impact of the well-contact's location on the current wave form and charge collection is discussed,and the importance of correctly modeling the well-contact is highlighted. |
| 学科主题 | 空间环境 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(Y0503GA160) |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/116]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈睿,纪冬梅,封国强,等. 单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法[J]. 核电子学与探测技术,2013,33(3):289-295. |
| APA | 陈睿,纪冬梅,封国强,沈忱,&韩建伟.(2013).单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法.核电子学与探测技术,33(3),289-295. |
| MLA | 陈睿,et al."单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法".核电子学与探测技术 33.3(2013):289-295. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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