薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯毓材 ; 李晓谦 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 16期号:6页码:445-448 |
| 关键词 | 表面改性 电子束蒸发 金属离子源 薄膜制备 |
| ISSN号 | 0253-9748 |
| 其他题名 | electron beam evaporation broad beam metalion source for preparin thin films |
| 通讯作者 | 北京8701信箱 |
| 中文摘要 | 介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内完成，该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括Ｃ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｒ〉Ｎ以及Ｃ和Ｎ，Ｔｉ等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为３．６ｃｍ，其最大引 |
| 学科主题 | 空间技术 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/608]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_空间技术部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯毓材,李晓谦. 薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源[J]. 真空科学与技术,1996,16(6):445-448. |
| APA | 冯毓材,&李晓谦.(1996).薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源.真空科学与技术,16(6),445-448. |
| MLA | 冯毓材,et al."薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源".真空科学与技术 16.6(1996):445-448. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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