电子元器件电离辐射试验结果与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张龙 ; 唐萍 |
| 刊名 | 现代测量与实验室管理
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 5页码:17-18 |
| 关键词 | 电离辐射 总剂量效应 失效率 可靠度 辐射设计余量 |
| ISSN号 | 1005-3387 |
| 通讯作者 | 北京8701信箱 |
| 中文摘要 | 本文在元器件电离辐射(总剂量)试验的基础上,分析了元器件性能下降的趋势,并探讨将可靠性理论引入辐射设计余量(RDM)计算的方法. |
| 学科主题 | 空间环境 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/213]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_空间环境部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张龙,唐萍. 电子元器件电离辐射试验结果与分析[J]. 现代测量与实验室管理,2009(5):17-18. |
| APA | 张龙,&唐萍.(2009).电子元器件电离辐射试验结果与分析.现代测量与实验室管理(5),17-18. |
| MLA | 张龙,et al."电子元器件电离辐射试验结果与分析".现代测量与实验室管理 .5(2009):17-18. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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