AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备
文献类型：学位论文
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| 作者 | 冯向旭 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05-28 ; 2014-05-28 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 ; 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 王军喜 ; 王军喜 |
| 关键词 | AlInGaN LED MOCVD Alingan Led Mocvd |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体器件 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2014-06-03 ; 2014-06-03 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25102]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯向旭. AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备, AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备[D]. 北京, 北京. 中国科学院大学, 中国科学院大学. 2014, 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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