HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质
文献类型：学位论文
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| 作者 | 庞蜜 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05 ; 2014-05 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 ; 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 吴晓光 ; 吴晓光 |
| 关键词 | HgTe/CdTe 量子阱 InAs/GaSb超晶格 InAs/GaSb耦合量子阱 二维拓扑绝缘体 窄禁带半导体 电子态结构 磁光吸收谱 Hgte/cdte 量子阱 Inas/gasb超晶格 Inas/gasb耦合量子阱 二维拓扑绝缘体 窄禁带半导体 电子态结构 磁光吸收谱 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 公开日期 | 2014-05-28 ; 2014-05-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25021]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞蜜. HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质, HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质[D]. 北京, 北京. 中国科学院大学, 中国科学院大学. 2014, 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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