HgTe量子阱中电子输运的理由研究
文献类型：学位论文
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| 作者 | 林亮中 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05-29 ; 2014-05-29 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 常凯研究员 ; 常凯研究员 |
| 关键词 | HgTe拓扑绝缘体 量子点接触 周期调制势 磁垒 Hgte拓扑绝缘体 量子点接触 周期调制势 磁垒 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 公开日期 | 2014-05-30 ; 2014-05-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25049]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林亮中. HgTe量子阱中电子输运的理由研究, HgTe量子阱中电子输运的理由研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2014, 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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