硅基垂直纳米线结构热电器件研究
文献类型:学位论文
作者 | 王珍 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2014-05-27 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 王晓东 ; 张明亮 |
关键词 | Si纳米线 Si-Ge核壳结构纳米线 热电优值 塞贝克系数 热导率 |
学位专业 | 电子与通信工程 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体器件 |
公开日期 | 2014-05-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25031] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王珍. 硅基垂直纳米线结构热电器件研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2014. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。