GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李增成 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05-27 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨辉 |
| 关键词 | GaN基绿光激光器 MOCVD InGaN量子点 可控生长 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 公开日期 | 2014-05-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25044]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李增成. GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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