4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 郑柳 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05-29 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 孙国胜 |
| 关键词 | 4H-SiC 肖特基二极管 双阻终端扩展 欧姆接触 可靠性 TMBS 4H-SiC/SiO2界面 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2014-06-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25125]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑柳. 4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。