散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘立兴 ; 夏晓彬 ; 盛尹祥子 ; 陈峰 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2013-10-10 |
| 期号 | 10页码:16-20 |
| 关键词 | 中子辐射场 屏蔽体 散射中子 蒙特卡罗方法 |
| 中文摘要 | 同位素中子源和中子刻度室在实际使用中通常带有屏蔽体。本文采用蒙特卡罗计算与实验结合的方法,研究了散射中子对带屏蔽体的252Cf同位素中子源辐射场的影响。通过计算带屏蔽体的252Cf中子源和裸252Cf中子源的中子能谱、中子注量率和中子周围剂量当量率,分析了屏蔽体产生的散射中子对辐射场的影响。依据蒙特卡罗计算所获得的有、无源室墙壁、地面和屋顶条件下的中子注量率和中子周围剂量当量率,分析了源室墙壁、地面和屋顶所产生的散射中子对辐射场的影响。计算结果表明,该中子辐射场的平均中子通量-周围剂量当量转换因子由裸252Cf中子源的385 pSv·cm2降至280 pSv·cm2,源室的墙壁、地面和屋顶产生... |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-06-13 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/13540]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘立兴,夏晓彬,盛尹祥子,等. 散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响[J]. 核技术,2013(10):16-20. |
| APA | 刘立兴,夏晓彬,盛尹祥子,&陈峰.(2013).散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响.核技术(10),16-20. |
| MLA | 刘立兴,et al."散射中子对带屏蔽体的~(252)Cf同位素中子源辐射场的影响".核技术 .10(2013):16-20. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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