Pressure induced metallization of SiH4(H-2)(2) via first-principles calculations
文献类型：期刊论文
| 作者 | Y. K. Wei ; N. N. Ge ; G. F. Ji ; X. R. Chen ; L. C. Cai ; D. Q. Wei |
| 刊名 | Computational Materials Science
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 88页码:116-123 |
| 关键词 | Structure X-ray diffraction data Phonon dispersion curves Band structures Metallization mechanism 1st principles electronic-properties molecular-hydrogen phase-stability superconductivity gpa temperature crystal methane silane |
| ISSN号 | 0927-0256 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-07-03 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72930]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y. K. Wei,N. N. Ge,G. F. Ji,et al. Pressure induced metallization of SiH4(H-2)(2) via first-principles calculations[J]. Computational Materials Science,2014,88:116-123. |
| APA | Y. K. Wei,N. N. Ge,G. F. Ji,X. R. Chen,L. C. Cai,&D. Q. Wei.(2014).Pressure induced metallization of SiH4(H-2)(2) via first-principles calculations.Computational Materials Science,88,116-123. |
| MLA | Y. K. Wei,et al."Pressure induced metallization of SiH4(H-2)(2) via first-principles calculations".Computational Materials Science 88(2014):116-123. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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