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单晶硅炉水垢的清洗方法

文献类型:专利

作者赵卫; 孙传东; 郭昭龙
发表日期2012-05-02
专利号CN102114482
专利类型发明
产权排序1
权利人中国科学院西安光学精密机械研究所
中文摘要本发明提供一种单晶硅炉水垢的清洗方法,主要解决了现有清洗方法不能彻底清洗单晶硅炉炉内所形成的水垢,或清洗时可能造成单晶硅炉内中其他材质损坏的问 题。该单晶硅炉水垢的清洗方法是:1)先将一定量的水放入带有超声波振荡和加热装置的储液箱,将水加热至10~60℃;2)将酸液分别缓缓加入储液箱,开 启超声波进行搅拌;3)通过清洗液的高速冲刷和反应来清洗水垢等步骤处理,完全清洗掉水垢。  
公开日期2011-07-06
申请日期2010-12-06
专利申请号CN201010574823
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/21754]  
专题其它单位_其它部门
推荐引用方式
GB/T 7714
赵卫,孙传东,郭昭龙. 单晶硅炉水垢的清洗方法. CN102114482. 2012-05-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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