用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张仿清 ; 徐希翔 ; 陈光华 ; 蒋致诚 ; 陈正石 ; 齐尚奎 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 卷号 | 35期号:9页码:1253-1258 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 用UPS技术获得了GD a-Si1-xCx:H合金薄膜的价带谱, 分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响, 并结合XPS, AES等电子能谱测试手段, 对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-08-20 |
| 源URL | [http://210.77.64.217/handle/362003/6050]  |
| 专题 | 兰州化学物理研究所_非现建制 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张仿清,徐希翔,陈光华,等. 用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性[J]. 物理学报,1986,35(9):1253-1258. |
| APA | 张仿清,徐希翔,陈光华,蒋致诚,陈正石,&齐尚奎.(1986).用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性.物理学报,35(9),1253-1258. |
| MLA | 张仿清,et al."用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性".物理学报 35.9(1986):1253-1258. |
入库方式： OAI收割
来源：兰州化学物理研究所
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