SiC超细粉末的XPS研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭家银; 郑国梁 |
| 刊名 | 化工冶金
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 03页码:18-25 |
| 关键词 | 超细粉末 SiC XPS 电子结合能 氩离子刻蚀 深度分布 表面元素 过热处理 表面层 覆盖层 |
| 中文摘要 | 本文运用 X 射线光电子能谱(XPS)对等离子气相反应制备的 SiC 超细粉末进行了研究,包括测定各元素的内层电子结合能以及它们在各种不同的过程中的化学位移;运用相对灵敏度因子法对表面层的元素组成进行了定量分析,并用氩离子刻蚀作了深度分布实验。结果表明:对于未经热处理的 SiC 粉末,表面上主要有一层厚度为40—50的氧的覆盖层,5分钟左右的氩离子刻蚀即可将它剥离掉.而对于经过热处理的 SiC 粉末,发现有较厚的氧化物层,氧的浓度随着离表面深度的增加而降低,但即使在经过10分钟的刻蚀后,仍有较强的 O_1s 峰,表明氧化物已渗透到体相内。 |
| 公开日期 | 2014-08-27 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/8790]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭家银,郑国梁. SiC超细粉末的XPS研究[J]. 化工冶金,1987(03):18-25. |
| APA | 郭家银,&郑国梁.(1987).SiC超细粉末的XPS研究.化工冶金(03),18-25. |
| MLA | 郭家银,et al."SiC超细粉末的XPS研究".化工冶金 .03(1987):18-25. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。