WO_3表面的氧缺陷
文献类型:期刊论文
作者 | 吴述尧; 陈芸琪; 齐上雪; 姜兆学; 林彰达; 王志宽; 舒代萱 |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 1986 |
期号 | 05页码:662-666 |
关键词 | 费密能 态密度 WO_3 谱分解 机理解释 禁带 还原过程 光解水 阳极材料 水制氢 |
中文摘要 | 用不同能量的Ar~+和H~+轰击WO_3表面,观察到W_(4f)峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_(4f)电子的W~(6+),W~(4+)和W~03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H_2O的吸附结果说明WO_3表面的活性与W~(5+)有关。 |
公开日期 | 2014-08-27 |
源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/9374] ![]() |
专题 | 过程工程研究所_研究所(批量导入) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴述尧,陈芸琪,齐上雪,等. WO_3表面的氧缺陷[J]. 物理学报,1986(05):662-666. |
APA | 吴述尧.,陈芸琪.,齐上雪.,姜兆学.,林彰达.,...&舒代萱.(1986).WO_3表面的氧缺陷.物理学报(05),662-666. |
MLA | 吴述尧,et al."WO_3表面的氧缺陷".物理学报 .05(1986):662-666. |
入库方式: OAI收割
来源:过程工程研究所
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