三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄国强 ; 毛俊楠 ; 王红星 ; 华超 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 03页码:680-686 |
| 关键词 | 化学气相沉积 数值模拟 传质 反应 多晶硅 硅沉积速率 |
| 中文摘要 | 建立了氢气和三氯氢硅系统的多晶硅气相沉积反应模型,通过Chemkin 4.0耦合气相反应、表面反应机理,利用流体力学软件Fluent 6.3.26数值求解。根据模拟结果绘制了进气温度、进气组成、沉积表面温度以及反应压力与硅沉积速率的关系曲线,阐述了这些条件对于硅沉积速率的影响,同时把模拟结果与文献中的实验数据和计算结果进行对比。结果表明,硅沉积速率随反应温度和反应压力的提高而提高,随进气温度的提高而提高,当氢气摩尔组成低于0.8时,与氢气物质的量组成成正比,氢气物质的量组成大于0.8时,与氢气摩尔组成成反比。 |
| 公开日期 | 2014-08-27 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/9969]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄国强,毛俊楠,王红星,等. 三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟[J]. 人工晶体学报,2012(03):680-686. |
| APA | 黄国强,毛俊楠,王红星,&华超.(2012).三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟.人工晶体学报(03),680-686. |
| MLA | 黄国强,et al."三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟".人工晶体学报 .03(2012):680-686. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
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