一种磁控溅射装置及其应用
文献类型：专利
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| 作者 | 程谟杰 ; 武卫明 ; 涂宝峰 ; 崔大安 |
| 发表日期 | 2014 |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201210539031.5 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 中文摘要 | 一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。 |
| 公开日期 | 2014-06-18 |
| 申请日期 | 2012-12-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201210539031.5 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/120435]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程谟杰,武卫明,涂宝峰,等. 一种磁控溅射装置及其应用, 一种磁控溅射装置及其应用. CN201210539031.5. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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