一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
文献类型：专利
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| 作者 | 李刚 ; 孙龙 ; 金玉奇 |
| 发表日期 | 2014 |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201210358823.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比，本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低，易于放大，可用于大规模工业化生产领域，具有重要的应用前景。 |
| 公开日期 | 2014-03-26 |
| 申请日期 | 2012-09-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201210358823.2 |
| 专利代理 | 马驰 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/120628]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚, 孙龙, 金玉奇. 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法, 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法. CN201210358823.2. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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