一种双电离的离子源
文献类型：专利
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| 作者 | 唐紫超 ; 史磊 ; 李刚 ; 王兴龙 ; 吴小虎 ; 张世宇 |
| 发表日期 | 2014 |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201310617392.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 公开日期 | 2014-02-19 |
| 申请日期 | 2013-11-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201310617392.1 |
| 专利代理 | 张晨 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/120659]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐紫超, 史磊, 李刚,等. 一种双电离的离子源, 一种双电离的离子源. CN201310617392.1. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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