新型pH-ISFET芯片系统研究
文献类型:期刊论文
作者 | 汪祖民 ; 任振兴 ; 韩泾鸿 ; 边超 ; 杨海钢 ; 夏善红 |
刊名 | 电子与信息学报
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 29期号:10页码:2525-2528 |
关键词 | 离子敏场效应管 片上系统 聚吡咯 五氧化二钽 敏感膜 |
ISSN号 | 1009-5896 |
公开日期 | 2010-05-19 |
源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/2715] ![]() |
专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室(北方基地)_传感技术国家重点实验室(北方基地)_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪祖民,任振兴,韩泾鸿,等. 新型pH-ISFET芯片系统研究[J]. 电子与信息学报,2007,29(10):2525-2528. |
APA | 汪祖民,任振兴,韩泾鸿,边超,杨海钢,&夏善红.(2007).新型pH-ISFET芯片系统研究.电子与信息学报,29(10),2525-2528. |
MLA | 汪祖民,et al."新型pH-ISFET芯片系统研究".电子与信息学报 29.10(2007):2525-2528. |
入库方式: OAI收割
来源:电子学研究所
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