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偏置模式可编程的ISFET集成放大器设计

文献类型:期刊论文

作者魏金宝 ; 杨海钢 ; 韩泾鸿
刊名电子器件
出版日期2007
卷号30期号:2页码:461-464
关键词ISFET 放大器 pH灵敏度 双模式 SOC
ISSN号1005-9490
公开日期2010-05-19
源URL[http://159.226.65.12/handle/80137/2801]  
专题电子学研究所_传感技术国家重点实验室(北方基地)_传感技术国家重点实验室(北方基地)_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
魏金宝,杨海钢,韩泾鸿. 偏置模式可编程的ISFET集成放大器设计[J]. 电子器件,2007,30(2):461-464.
APA 魏金宝,杨海钢,&韩泾鸿.(2007).偏置模式可编程的ISFET集成放大器设计.电子器件,30(2),461-464.
MLA 魏金宝,et al."偏置模式可编程的ISFET集成放大器设计".电子器件 30.2(2007):461-464.

入库方式: OAI收割

来源:电子学研究所

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