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基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿

文献类型:期刊论文

作者王奇,赵湛,曾欢欢,方震,张博军
刊名电子器件
出版日期2006
卷号29期号:3页码:726-729
关键词MEMS 压力传感器 氮化硅 温度 补偿
ISSN号1005-9490
公开日期2010-09-02
源URL[http://159.226.65.12/handle/80137/3370]  
专题电子学研究所_传感技术国家重点实验室(北方基地)_传感技术国家重点实验室(北方基地)_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王奇,赵湛,曾欢欢,方震,张博军. 基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿[J]. 电子器件,2006,29(3):726-729.
APA 王奇,赵湛,曾欢欢,方震,张博军.(2006).基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿.电子器件,29(3),726-729.
MLA 王奇,赵湛,曾欢欢,方震,张博军."基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿".电子器件 29.3(2006):726-729.

入库方式: OAI收割

来源:电子学研究所

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