半导体热电偶型微波功率传感器
文献类型：专利
| 作者 | 崔大付 ; 者文明 ; 陈德勇 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种半导体热电偶型微波功率传感器，包括：硅衬底(26)；在该硅衬底中选择性扩散N+硅而形成的N+硅低阻通道(30)；在所述硅衬底上制备的绝缘保护层(25)；设置在该绝缘保护层上的微波吸收电阻(24)以及第一金属电极(21)、第二金属电极(22)和第三金属电极引线(23)；在所述第一、第二和第三金属电极引线之间分别开有穿通所述硅衬底和所述绝缘保护层的沟槽(29)，形成隔离的桥形微波吸收通路和热偶通路。能提高传感器灵敏度，减小失配误差，改善驻波比。 |
| 公开日期 | 2004-07-07 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2002-12-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02159357.4 |
| 专利代理 | 戎志敏 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5275]  |
| 专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室（北方基地）_传感技术国家重点实验室（北方基地）_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔大付,者文明,陈德勇 . 半导体热电偶型微波功率传感器. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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