基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路
文献类型：专利
| 作者 | 杨海钢 ; 魏金宝 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及差分放大器技术领域，特别是一种基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路。双模式的集成ISFET信号放大器包括：Ma1和Mb1组成的差分放大器，Ma2、Mb2和Mc组成自举电路，M9，M8，M7，M2，M1电流镜像电路，电流源I1a和I1b，I0。ISFET电流型信号差分电路包括：ISFET放大器和REFET放大器，准参比电极PRE，M1和M3构成二个跟随放大器。本发明适合处理高精度、具有较大动态范围的ISFET传感器输入信号。 |
| 公开日期 | 2006-07-05 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2004 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410098990.3 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5455]  |
| 专题 | 电子学研究所_可编程芯片与系统研究室_可编程芯片与系统研究室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨海钢,魏金宝 . 基于双模式的集成ISFET传感器信号差分读出电路. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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