互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器
文献类型：专利
| 作者 | 杨海钢 ; 崔国平 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器，涉及电流电压转换器技术领域，包括晶体管组成的共源共栅电流镜，其由四个PMOS晶体管组成的共源共栅电流镜和四个NMOS晶体管组成的共源共栅电流镜上下对接而成，交流电流信号从上下电流镜对接处输入，被两个电流镜镜像，输出电压等于输入电流与输出共源共栅结构电阻的乘积。本发明将微弱的pA量级的电流信号转化为mV量级的电压，利用共源共栅电流镜输出阻抗大的特点实现高增益，达到了结构简单和高增益的特点，同时由于没有反馈电阻，不需要考虑稳定性的问题。 |
| 公开日期 | 2007 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2006-04-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200610076009.6 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5459]  |
| 专题 | 电子学研究所_可编程芯片与系统研究室_可编程芯片与系统研究室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨海钢,崔国平 . 互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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