互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路
文献类型：专利
| 作者 | 杨海钢 ; 崔国平 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于互补金属氧化物半导体技术领域，公开一种互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路，包括：峰值点寻找电路，用于在输入正弦波信号A的峰值点时刻产生一个上升沿信号；峰值点放电电路，用于在输入正弦波信号峰值点处产生一个放电波形信号E；数字逻辑，由数字分频信号G和数字波形信号F控制对外部时钟输入I的时间间隔计数，产生一个表征时间间隔的数字输出信号H。本发明的电路只针对峰值点进行采样，简化了采样电路的要求。利用电压-时间转换(或电压到占空比转换)，本发明的电路分辨率受计数时钟频率控制，因此比普通的同等位数模 |
| 公开日期 | 2008 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2007-03-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710064599.5 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5465]  |
| 专题 | 电子学研究所_可编程芯片与系统研究室_可编程芯片与系统研究室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨海钢,崔国平. 互补金属氧化物半导体单片集成的峰值检测电路. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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