GaAs/Si中晶体缺陷的透射电子显微镜研究及高锰钢中锰在晶界处非平衡偏析的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 黄胜 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1992 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 范荣团 |
| 关键词 | 透射电子显微镜 高分辨电子显微镜 失配位错 线位错 微孪晶 堆垛层错 反相畴 原子台阶 X射线能量色散谱 晶界 非平衡偏析位错塞积 |
| 学位专业 | 电子物理与器件 |
| 中文摘要 | 本论文第一部分利用透射电镜和高分辨电镜分析了国内近年来MOCVD和MBE技术外延生长的GaAs/Si材料中各种缺陷的分布、形貌、产生机制及其与生产工艺的关系。首先研究了GaAs/Si的GaAs层中线位错的产生与初始生长模式之间的关系；其次，通过GaAs/Si的不同截面样品中微孪晶与界面夹角的差异计算出两种外延技术中Si衬底解理的倾斜方向和倾斜角度；第三，分析结果发现，Si衬底倾斜解理导致的外延层中微孪晶非对称分布来自Si衬底表面原子台阶的不均匀分布；第四，利用高分辨电镜观察到了MBE样品中界面处存在两种失配位错以及GaAs外延层中的微孪晶的三倍周期条纹；第五，在双束动力学条件下采用三种方法分析了MOCVD样品中层错的类型为本征型，确定其滑移矢量变化为1/6[211]；第六，TEM观察和分析结果表明，倾斜偏离Si（100）的生长平面出现的A型双原子台阶有效地抑制了GaAs外延层中反相畴界的产生，并给出了相应的微观图象。第二部分利用X-射线能量色散谱探测了高锰奥氏体钢中晶界上及其附近主要元素的含量，实验结果表明Mn在晶界处存在着非平衡偏析，而Mn偏析区聚集大量的位错和层错，从而导致材料在超低温下韧性降低。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 84 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/9399]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄胜. GaAs/Si中晶体缺陷的透射电子显微镜研究及高锰钢中锰在晶界处非平衡偏析的研究[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 1992. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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