Development of an S-Band High Average Power Multibeam Klystron With Banwidth of 10%
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高冬平，张兆传，丁耀根 |
| 刊名 | IEEE TRANS. On Electron device
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| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 1 |
| 公开日期 | 2014-05-08 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/10185]  |
| 专题 | 电子学研究所_空间行波管研究发展中心_空间行波管研究发展中心_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高冬平，张兆传，丁耀根. Development of an S-Band High Average Power Multibeam Klystron With Banwidth of 10%[J]. IEEE TRANS. On Electron device,2013(1). |
| APA | 高冬平，张兆传，丁耀根.(2013).Development of an S-Band High Average Power Multibeam Klystron With Banwidth of 10%.IEEE TRANS. On Electron device(1). |
| MLA | 高冬平，张兆传，丁耀根."Development of an S-Band High Average Power Multibeam Klystron With Banwidth of 10%".IEEE TRANS. On Electron device .1(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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