π模强耦合双间隙微波谐振腔
文献类型：专利
| 作者 | 林福民 ; 丁耀根 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种π模强耦合双间隙微波谐振腔，其特征在于，在耦合双间隙微波谐振腔的耦合壁中开有2～4个大耦合槽，该2～4个大耦合槽的总弧度在200°以上，宽度大于0.6×(腔半径-漂移管半径)。其是在较低频率波段的宽带速调管中采用π模强耦合双间隙微波谐振腔替代传统的π模弱耦合双间隙微波谐振腔，将能提高速调管的效率带宽乘积，并且使整管的体积缩小、重量减轻。 |
| 公开日期 | 2004-12-08 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2003-05-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN03138670.9 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4953]  |
| 专题 | 电子学研究所_空间行波管研究发展中心_空间行波管研究发展中心_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林福民,丁耀根 . π模强耦合双间隙微波谐振腔. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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