一种低烧结温度的微波衰减材料
文献类型：专利
| 作者 | 张永清 ; 丁耀根 ; 钱书珍 ; 徐振英 ; 黄云平 ; 周小攀 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于微波电真空器件制造技术领域，是一种低烧结温度的微波衰减材料。这种低烧结温度的微波衰减材料，由过渡层粉末、中间层粉末、表面层粉末组成，其在过渡层粉末中添加20～40wt％的纳米镍粉，在中间层粉末、表面层粉末中加入10～20wt％的纳米铁粉，利用纳米材料的低熔点以有效降低微波衰减材料涂层的烧结温度。本发明的材料涂层使微波衰减涂层的烧结温度，较现有铝硅铁涂层的烧结温度降低约50℃，解决了烧结温度偏高造成铜基体变形的问题。本发明的材料在降低烧结温度的同时，并未对材料衰减微波的能力造成明显影响。 |
| 公开日期 | 2006 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2004-12-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200410009986.5 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4961]  |
| 专题 | 电子学研究所_空间行波管研究发展中心_空间行波管研究发展中心_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永清,丁耀根,钱书珍,等. 一种低烧结温度的微波衰减材料. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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