抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置
文献类型：专利
| 作者 | 丁耀根 ; 孙小欣 ; 张永清 ; 丁海兵 ; 沈 斌 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置，是用具有设定介电常数和介电损耗的电吸收材料组成的。通过选择该装置的材料参数，形状和尺寸、以及放置位置和连接方法可以有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模的振荡，降低由该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制高次模式振荡，降低杂谱电平。 |
| 公开日期 | 2008 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2008-01-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810055787.6 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4985]  |
| 专题 | 电子学研究所_空间行波管研究发展中心_空间行波管研究发展中心_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁耀根,孙小欣,张永清,等. 抑制多注速调管高次模振荡和降低杂谱电平的装置. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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