一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法
文献类型：专利
| 作者 | 阴生毅 ; 张永清 ; 张洪来 ; 王 宇 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，涉及微波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜，为钨铼锇三元合金膜。一种制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，A.在浸渍发射材料之前，用表面溅射法在阴极表面先溅射沉积铼膜，再溅射沉积锇钨膜，接下来浸渍发射材料，利用发射材料的高温浸渍过程，实现阴极表面膜层的合金化；B.浸渍发射材料之后，利用钨铼锇三元合金靶，在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极，可使阴极发射电流密度成倍提高，加大了阴极发射能力，并可较容易地制备成各种规格并易于实现批量 |
| 公开日期 | 2008 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2007-06-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710118004.X |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4987]  |
| 专题 | 电子学研究所_空间行波管研究发展中心_空间行波管研究发展中心_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阴生毅,张永清,张洪来,等. 一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。