浸渍钡钨阴极及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张红卫 ; 丁耀根 ; 白振纲 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种浸渍钡钨阴极，其组成为纯钨粉，其孔隙中浸渍有铝酸盐。其制备方法是：将纯钨粉放入500-1500℃氢炉内退火；用内有钼筒的压模将退火后的钨粉压制成平顶阴极体；阴极体放入氢炉，当温度达到1000-2000℃时，保温1-10小时；置于铝酸盐粉末中，氢气气氛中，1500-2000℃浸渍1-10分钟，浸渍后的浮盐用钨丝棉团清除；安装热子，制得新型浸渍钡钨阴极。 |
| 公开日期 | 2004-10-20 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2003-04-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN03123139.X |
| 专利代理 | 周长兴 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5089]  |
| 专题 | 电子学研究所_航空微波遥感系统部_航空微波遥感系统部_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张红卫,丁耀根,白振纲 . 浸渍钡钨阴极及制备方法. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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