单槽法镀多层镍工艺
文献类型：专利
| 作者 | 许维源 ; 马金娣 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种镀多层镍工艺，其利用多波形电镀电源，采用一种镀镍溶液在单个电镀槽中进行电镀。其所用的镀镍液可以是瓦特镀镍液，半光亮镀镍液或光亮镀镍液。本发明的镀多层镍工艺不仅工艺简单，节约成本，而且所得镀镍层的抗腐蚀能力和抗疲劳强度都得到提高。 |
| 公开日期 | 2003-02-06 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2002-08-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02130459.9 |
| 专利代理 | 柳春琦 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4903]  |
| 专题 | 电子学研究所_高功率微波源与技术院重点实验室_高功率微波源与技术院重点实验室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许维源,马金娣 . 单槽法镀多层镍工艺. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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