一种垂直内对中钎焊装置
文献类型：专利
| 作者 | 张海霞 ; 李 鹏 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型公开一种垂直内对中钎焊装置，涉及微波电子制造技术，包括一支架部分、一调校部分；在使用状态下，钼杆两端分别穿套着上拉杆柱、上固紧件和下拉杆柱、下固紧件，并拉直固定于上水平架、下水平架上；钼杆中部穿套着工件、上平台、下平台，工件置于上平台上表面，上平台与钼杆相互垂直后，置于高频钎焊炉中。本实用新型的垂直内对中钎焊装置，可确保行波管在封接输入、输出组件时相互垂直，保证了行波管通过率的提高。 |
| 公开日期 | 2007-08-01 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2006-07-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200620119049.X |
| 专利代理 | 周国城 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4915]  |
| 专题 | 电子学研究所_高功率微波源与技术院重点实验室_高功率微波源与技术院重点实验室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海霞,李 鹏 . 一种垂直内对中钎焊装置. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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