氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 谢海忠; 卢鹏志; 耿雪妮; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 微电子学 ; 微电子学 |
| 公开日期 | 2013-03-27 ; 2013-03-27 ; 2013-03-27 ; 2013-03-27 |
| 申请日期 | 2012-12-17 ; 2012-12-17 |
| 专利申请号 | CN201210550029.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25198]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢海忠,卢鹏志,耿雪妮,等. 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法, 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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