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用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法

文献类型:专利

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作者邢宇鹏; 韩培德; 范玉杰; 王帅; 梁鹏
专利国别中国
著作权人中国科学院半导体研究所
专利类型发明
国家中国
文献子类发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题光电子学 ; 光电子学
公开日期2013-01-30 ; 2013-01-30
申请日期2012-10-24 ; 2012-10-24
专利申请号CN201210408491.4
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25227]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
邢宇鹏,韩培德,范玉杰,等. 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法, 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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