提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王维颖 ; 毛德丰 ; 李维 ; 金鹏 ; 王占国 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2014-02-12 |
| 申请日期 | 2013-11-19 |
| 专利申请号 | CN201310585868.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25476]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王维颖,毛德丰,李维,等. 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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