缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯玉霞 ; 杨少延 ; 魏鸿源 ; 焦春美 ; 孔苏苏 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2014-06-11 |
| 申请日期 | 2014-02-21 |
| 专利申请号 | CN201410058985.3 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25730]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯玉霞,杨少延,魏鸿源,等. 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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