将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 田婷; 张逸韵; 耿雪妮; 李璟; 伊晓燕; 王国宏 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2012-07-04 ; 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2012-03-06 ; 2012-03-06 |
| 专利申请号 | CN201210056638.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25345]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田婷,张逸韵,耿雪妮,等. 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法, 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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