氮化镓激光器腔面的制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 田迎冬; 董鹏; 张韵; 闫建昌; 孙莉莉; 王军喜; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2014-04-02 ; 2014-04-02 |
| 申请日期 | 2013-11-27 ; 2013-11-27 |
| 专利申请号 | CN201310637212.6 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25438]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田迎冬,董鹏,张韵,等. 氮化镓激光器腔面的制作方法, 氮化镓激光器腔面的制作方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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