芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2014-02-12 ; 2014-02-12 |
| 申请日期 | 2013-11-19 ; 2013-11-19 |
| 专利申请号 | CN201310585931.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25454]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢海忠,张连,宋昌斌,等. 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法, 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。