利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2014 ; 2014 |
| 申请日期 | 2013-09-09 ; 2013-09-09 |
| 专利申请号 | CN201310407479.6 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25653]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯向旭,张宁,刘乃鑫,等. 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法, 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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