氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2014-05-21 ; 2014-05-21 |
| 申请日期 | 2014-02-19 ; 2014-02-19 |
| 专利申请号 | CN201410056782.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25746]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫建昌,王军喜,张韵,等. 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法, 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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