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一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法

文献类型:专利

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作者王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川
专利国别中国
著作权人中国科学院半导体研究所
专利类型发明
国家中国
文献子类发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题半导体物理 ; 半导体物理
公开日期2014-02-12 ; 2014-02-12
申请日期2013-10-25 ; 2013-10-25
专利申请号CN201310510519.X
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25491]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王莉娟,喻颖,査国伟,等. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法, 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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