在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 査国伟; 李密锋; 喻颖; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川 |
| 专利国别 | 中国 |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 公开日期 | 2013-10-23 ; 2013-10-23 |
| 申请日期 | 2013-07-11 ; 2013-07-11 |
| 专利申请号 | CN201310290299.4 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25546]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 査国伟,李密锋,喻颖,等. 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法, 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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